在我們實(shí)際研磨拋光過程中，研磨拋光主要講的是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP: Chemical Mechanical Polishing）。CMP 是化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用,在一定壓力及拋光漿料存在下,在拋光液中的腐蝕介質(zhì)作用下工件表面形成一層軟化層，拋光液中的磨粒對工件上的軟化層進(jìn)行磨削，因而在被研磨的工件表面形成光潔表面。

研磨拋光作用的機(jī)理：

拋光液中的腐蝕介質(zhì)與被拋光表面材料發(fā)生了化學(xué)反應(yīng),生成很薄的剪切強(qiáng)度很低的化學(xué)反應(yīng)膜,反應(yīng)膜在磨粒磨削作用下被去處,從而露出新的表面,接著又繼續(xù)反應(yīng)生成新的反應(yīng)膜,如此周而復(fù)始的進(jìn)行,使表面逐漸被拋光修平,實(shí)現(xiàn)拋光的目的。

拋光皮的分類：

根據(jù)拋光皮磨料填充、材質(zhì)、表面結(jié)構(gòu)情況，共分為三大類

按磨料填充分為：無填充磨料和有填充磨料拋光皮

無填充磨料的拋光皮，在拋光過程中的相比較拋光工件光圈穩(wěn)定。

有填充磨料的拋光皮：含氧化鈰拋光皮和含氧化鋯拋光皮

氧化鈰拋光皮：較能提高拋光速率

氧化鋯拋光皮：較能提高被拋光工件的光潔度

按材質(zhì)的不同分為：不織布（無紡布）磨皮、發(fā)泡聚氨酯磨皮和阻尼布磨皮